поискавой системы для электроныых деталей |
|
STP165N10F4 датащи(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STP165N10F4 датащи(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 12 page Electrical characteristics STP165N10F4 4/12 Doc ID 15781 Rev 2 2 Electrical characteristics (TCASE=25°C unless otherwise specified) Table 4. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source Breakdown voltage ID = 250 µA, VGS = 0 100 V IDSS Zero gate voltage Drain current (VGS = 0) VDS = max rating 1 µA VDS = max rating,TC=125 °C 100 µA IGSS Gate-body leakage current (VDS = 0) VGS = ± 20 V 100 nA VGS(th) Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 µA 2 4 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS = 10 V, ID = 60 A 4.4 5.5 m Ω Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit Ciss Input capacitance VDS = 25 V, f = 1 MHz, VGS = 0 10750 pF Coss Output capacitance - 939 - pF Crss Reverse transfer capacitance 603 pF Qg Total gate charge VDD = 50 V, ID = 120 A, VGS = 10 V (see Figure 14) 192 nC Qgs Gate-source charge - 48 - nC Qgd Gate-drain charge 62 nC |
Аналогичный номер детали - STP165N10F4 |
|
Аналогичное описание - STP165N10F4 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |