поискавой системы для электроныых деталей |
|
STN2610D датащи(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
STN2610D датащи(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 7 page STN2610D N Channel Enhancement Mode MOSFET 50.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2009, Stanson Corp. STN2610D 2009. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250mA 60 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 1 2.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V 100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=48V,VGS=0V 1 uA VDS=48V,VGS=0V TJ=55℃ 5 Drain-source On- Resistance RDS(on) VGS=10V,ID=20A VGS=4.5V,ID=20A 10 12 12 14 mΩ Forward Transconductance gfs VDS=5V,ID=20A 12 S Diode Forward Voltage VSD IS=1.0A,VGS=0V 1.0 V Dynamic Total Gate Charge Qg VGS=10V,VDS=30V ID≡10A 40 59 nC Gate-Source Charge Qgs 5.9 9 Gate-Drain Charge Qgd 8.8 14 Input Capacitance Ciss VDS =25V,VGS=0V F=1MHz 2100 3050 pF Output Capacitance Coss 165 240 Reverse TransferCapacitance Crss 80 120 Turn-On Time td(on) tr VDD=15V,RG= 6Ω VGS=10V,ID=1A 9 18 nS 29 54 Turn-Off Time td(off) tf 45.3 86 11 21 |
Аналогичный номер детали - STN2610D |
|
Аналогичное описание - STN2610D |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |