 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1419 датащи(PDF) 2 Page - Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
2SD1419 датащи(HTML) 2 Page - Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd |
|
|
2 / 2 page  Electrical Characteristics Ta = 25 Parameter Symbol Testconditons Min Typ Max Unit Collector to base breakdown voltage V(BR)CBO IC =10ìA, IE = 0 120 V Collector to emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC =1mA, RBE = 100 V Emitter to base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10ìA, IC =0 5 V Collector cutoff current ICBO VCB = 100 V, IE =0 10 ìA VCE =5V, IC = 150 mA* 60 200 VCE =5V, IC = 500 mA* 30 Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 500 mA, IB =50mA* 1 V Base to emitter voltage VBE VCE =5V, IC = 150 mA* 1.5 V Gain bandwidth product fT VCE =5V, IC = 150 mA* 140 MHz Collector output capacitance Cob VCB =10V, IE = 0, f = 1 MHz 12 pF *Pulse test hFE DC current transfer ratio hFE Classification Marking DD DE hFE 60 120 100 200 NPN Silicon epitaxial Transistor 2SD1419 ht t p : // www.lgesemi.com mail:lge@lgesemi.com Revision:201 70701-P1 |
Аналогичный номер детали - 2SD1419 |
|
Аналогичное описание - 2SD1419 |
|
|
|
ссылки URL |
| Конфиденциальность |
| ALLDATASHEETRU.COM |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
